SK 海力士宣布,公司成功开发出全球当前速度最快的移动 DRAM(内存)“LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo)”,速度高达 9.6Gbps,并已向客户提供了样品。
同时,LPDDR5T 在国际半导体标准化组织 (JEDEC) 规定的最低电压 1.01~1.12V(伏特)下运行。本次产品兼具高速度和低功耗的特性。
公司近期向客户提供了将 LPDDR5T 芯片组合为 16GB (千兆) 容量的封装样品。SK 海力士称,该样品的数据处理速度可达每秒 77GB,相当于每秒处理 15 部全高清(Full-HD)电影。
SK 海力士计划采用第 4 代 10 纳米级(1a)精细工艺,将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外,SK 海力士在本次产品中也采用了“HKMG(High-K Metal Gate)” 工艺,实现最佳性能表现,公司预计在下一代 LPDDR6 问世之前,大幅拉开技术差距的 LPDDR5T 将主导该市场。
SK 海力士期待 LPDDR5T 的应用范围不仅限于智能手机,还将扩展到人工智能 (AI)、机器学习 (Machine Learning)、增强 / 虚拟现实 (AR / VR) 等。
下面是百科小知识
LPDDR(低功耗双倍数据速率):是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的 DRAM 规格,因以耗电量最小化为目的,具有低电压运行特征。规格名称附有“LP(Low Power,低功耗)”,最新规格为第七代 LPDDR(5X),按 1-2-3-4-4X-5-5X 的顺序开发而成。LPDDR5T 是 SK 海力士业界首次开发的产品,是第八代 LPDDR6 正式问世之前,将第七代 LPDDR(5X)性能进一步升级的产品。
HKMG(High-K Metal Gate):在 DRAM 晶体管内的绝缘膜上采用高 K 栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移动 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工艺。